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NTP2955G中文资料

NTP2955G图片

NTP2955G外观图

  • 大小:141.7KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: MOSFET, P, 60V, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):196mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:12A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:2.4W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:196 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:700pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.4W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:NTP2955G-NDNTP2955GOS

NTP2955G供应商

更新时间:2023-01-05 03:46:10
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